芯片工藝彎道超車(chē) 三星宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝

對于半導體行業(yè)的金科玉律，有廠(chǎng)商一直在喊摩爾定律已死，也有廠(chǎng)商不斷給它續命，期望工藝繼續更新下去——三星今年6月份搶先量產(chǎn)了3nm工藝，2025年還要量產(chǎn)2nm工藝，現在他們也宣布1.4nm工藝2027年量產(chǎn)了。

三星主管晶圓代工業(yè)務(wù)的社長(cháng)崔時(shí)榮表示，將基于下一代晶體管結構全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)不斷創(chuàng )新工藝，計劃2025年實(shí)現2nm芯片生產(chǎn)，2027年實(shí)現1.4nm工藝。

不過(guò)三星沒(méi)有公布1.4nm工藝的具體細節，現在談晶體管密度、性能及功耗還是有點(diǎn)早，不過(guò)對三星來(lái)說(shuō)，這是繼3nm搶先量產(chǎn)之后又一次彎道超車(chē)的機會(huì )，畢竟1.4nm量產(chǎn)是他們首個(gè)宣布的。

三星不是唯一一家要量產(chǎn)1.4nm工藝的，臺積電現在也是3nm建廠(chǎng)量產(chǎn)，2nm在2025年量產(chǎn)，今年年中也組建了團隊攻關(guān)1.4nm工藝，現在是TV0第一階段，主要是確定2nm技術(shù)規格。

此外，Intel會(huì )在2025年量產(chǎn)20A及18A兩代工藝，相當于友商的2nm及1.8nm，雖然不是1.4nm工藝，但三家廠(chǎng)商在2025前后兩年的競爭回很激烈。

量產(chǎn)1.4nm工藝還有個(gè)條件，那就是全面上馬ASML下一代的高NA EUV光刻機，NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.55，進(jìn)一步提升光刻分辨率，預計在2026年開(kāi)始正式上市，明年會(huì )出貨樣機給三大客戶(hù)。