Intel重返存儲器 大連廠(chǎng)將轉產(chǎn)NAND閃存芯片

【Intel重返存儲器 大連廠(chǎng)將轉產(chǎn)NAND閃存芯片】Intel20日表示將重返存儲器市場(chǎng),并計劃Intel大連廠(chǎng)從2016年下半年開(kāi)始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

記者獲悉,Intel20日表示將重返存儲器市場(chǎng),并計劃Intel大連廠(chǎng)從2016年下半年開(kāi)始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

據悉,Intel對大連的半導體制造工廠(chǎng)投資額將高達55億美元。Intel大連廠(chǎng)自2010年開(kāi)工,但在資金投入、技術(shù)引入上一直不理想,公司多次考慮過(guò)將其轉型或出售。

對此,芯謀研究表示,鑒于Intel與美光的合作,Intel如果能夠“積極開(kāi)放”,在大連加大投資、引進(jìn)更先進(jìn)技術(shù)和強有力的團隊,此次“正確的決定”將帶來(lái)大連廠(chǎng)的最終成功;在大陸大力發(fā)展存儲市場(chǎng)之際,Intel重返存儲器、重返大連,是Intel長(cháng)久以來(lái)對中國半導體的支持,也是大陸實(shí)力企業(yè)積極運作的結果。就全球存儲器格局來(lái)說(shuō),如果Intel大連廠(chǎng)與中國力量結合或將引發(fā)中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的多米諾骨牌效應,這也使得那些“旁觀(guān)、抵制、懷疑”中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的國際企業(yè)需要認真考慮自己的決定。

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